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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > MMBF2201NT1G
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MMBF2201NT1G

ON Semiconductor SC-70,SOT-323 9000 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBF2201NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBF2202PT1 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
MMBF2202PT1G ON Semiconductor SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 300MA SOT323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
MMBF4091 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):30mA @ 20V 漏...
MMBF2201NT1 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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MMBF2201NT1G参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 5V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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