收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > MMBF0201NLT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBF0201NLT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBF0201NLT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBF102 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 JFET N-CHANNEL SOT-23 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流...
MMBF170 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 63000+177000 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
MMBF170-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
MMBF0201NLT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
MMBD914-V-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 DIODE SS SWITCH 100V 200MA SOT23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):100V 电流 - 平均整流 (I...
MMBD914-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36000+9000 DIODE 100V 150MA 350MW SOT23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...

MMBF0201NLT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 5V
功率 - 最大值:225mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别