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MGSF2N02ELT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18639+1674000
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简述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
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MGSF2N02ELT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 5V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

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