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MBT6429DW1T1

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MBT6429DW1T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MBT6429DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 TRANS DUAL NPN 200MA 45V SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
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MBT6429DW1T1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):500 @ 100µA,5V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:700MHz
安装类型:表面贴装

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