收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > MBT6429DW1T1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MBT6429DW1T1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000
询价QQ:
简述:TRANS DUAL NPN 200MA 45V SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MBT6429DW1T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MBZ101A01C01X01 APEM Components, LLC SWITCH SNAP ACT ALT PN MBF5A ...
MBZ101A01C02X01 APEM Components, LLC SWITCH SNAP ACT ALT PN MBF5D ...
MBZ101A01C02X02 APEM Components, LLC SUB-MINIATURE SNAP ACTING SWITCH ...
MBT6429DW1T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT3946DW1T2G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+1128000 TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MBT3946DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 42000 TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...

MBT6429DW1T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):500 @ 100µA,5V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:700MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别