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LTR50UZPF11R0

Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 9478 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923
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简述:RES 11.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE
参考包装数量:1
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与LTR50UZPF11R0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
LTR50UZPF12R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 10000 RES 12.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):12 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR50UZPF13R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 5000 RES 13.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):13 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR50UZPF2200 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 15000 RES 220 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):220 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数...
LTR50UZPF10R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 15057 RES 10.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR-4206E Lite-On Inc T-1 6940 PHOTOTRAN NPN 3MM IR DARK 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-4206 Lite-On Inc T-1 PHOTOTRAN NPN 3MM IR CLEAR 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

LTR50UZPF11R0参数资料

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电阻(欧姆):11
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:脉冲耐受
温度系数:±100ppm/°C
容差:±1%

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