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LTR-4206E

Lite-On Inc T-1 6940
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简述:PHOTOTRAN NPN 3MM IR DARK
参考包装数量:1000
参考包装形式:

与LTR-4206E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
LTR50UZPF10R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 15057 RES 10.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR50UZPF11R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 9478 RES 11.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):11 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR50UZPF12R0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 10000 RES 12.0 OHM 1W 1% 2010 WIDE 电阻(欧姆):12 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数:...
LTR-4206 Lite-On Inc T-1 PHOTOTRAN NPN 3MM IR CLEAR 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-323DB Lite-On Inc 径向 PHOTOTRANSISTOR PTX 5MM CLEAR 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-3208E Lite-On Inc 径向 13067 PHOTOTRAN NPN 5MM IR DARK 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

LTR-4206E参数资料

PDF资料下载:

电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.8mA
电流 - 暗 (Id)(最大):100nA
波长:940nm
视角:20°
功率 - 最大:100mW
安装类型:通孔
方向:顶视图

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