收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXXH30N60B3D1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXXH30N60B3D1

IXYS TO-247-3(TO-247AD)
询价QQ:
简述:IGBT XPT 600V 60A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXXH30N60B3D1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXXH50N60B3 IXYS TO-247-3 IGBT XPT 600V 120A TO-247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXXH50N60B3D1 IXYS TO-247-3(TO-247AD) IGBT XPT 600V 120A TO-247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXXH50N60C3 IXYS TO-247-3(TO-247AD) 73 IGBT 600V 100A 600W TO247AD IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXXH100N60C3 IXYS TO-247-3(TO-247AD) 74 IGBT 600V 190A 830W TO247AD IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXXH100N60B3 IXYS TO-247-3(TO-247AD) 39 IGBT 600V 210A 830W TO247AD IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXUV170N075S IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXXH30N60B3D1参数资料


IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.85V @ 15V,24A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):60A
功率 - 最大:270W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别