| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXXH100N60B3 |
IXYS | TO-247-3（TO-247AD） | 39 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 210A 830W TO247AD 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXXH100N60C3 | IXYS | TO-247-3（TO-247AD） | 74 | IGBT 600V 190A 830W TO247AD | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| IXXH30N60B3D1 | IXYS | TO-247-3（TO-247AD） | IGBT XPT 600V 60A TO-247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IXXH50N60B3 | IXYS | TO-247-3 | IGBT XPT 600V 120A TO-247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IXUV170N075S | IXYS | PLUS-220SMD | MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXUV170N075 | IXYS | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXUN350N10 | IXYS | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
