收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP32N20T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP32N20T

IXYS TO-220-3 859
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP32N20T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP32P05T IXYS TO-220-3 2121 MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP32P20T IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP36N20T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP300N04T2 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2R4N50P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2R4N120P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP32N20T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):32A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1760pF @ 25V
功率 - 最大值:200W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别