收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP300N04T2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP300N04T2

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP300N04T2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP32N20T IXYS TO-220-3 859 MOSFET N-CH 200V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP32P05T IXYS TO-220-3 2121 MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP32P20T IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2R4N50P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2R4N120P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2N80P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP300N04T2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):145nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10700pF @ 25V
功率 - 最大值:480W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别