收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IXTL2X240N055T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTL2X240N055T

IXYS ISOPLUSi5-Pak? 71
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTL2X240N055T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTN110N20L2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN120N25 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN120P20T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTL2X220N075T IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
IXTL2X200N085T IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
IXTL2X180N10T IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

IXTL2X240N055T参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.4 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7600pF @ 25V
功率 - 最大:150W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别