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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IXTL2X200N085T
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IXTL2X200N085T

IXYS ISOPLUSi5-Pak? 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTL2X200N085T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTL2X200N085T参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:112A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:152nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7600pF @ 25V
功率 - 最大:150W
安装类型:通孔

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