收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA08N50D2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA08N50D2

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2463
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA08N50D2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA100N04T2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 302 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA102N15T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2352 MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA10N60P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA08N120P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA08N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA08N100D2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 60 MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...

IXTA08N50D2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):312pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别