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IXTA08N100D2

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 60
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简述:MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTA08N100D2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安装类型:表面贴装

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