收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXKT70N60C5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXKT70N60C5

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:MOSFET TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXKT70N60C5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXKU5-505MINIPACK2 IXYS MOSFET MINIPACK-2 ...
IXLF19N250A IXYS i4-Pac?-5(3 引线) 110 IGBT HIGH VOLTAGE 2500V 32AMP IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2500V Vge,...
IXMS150PSI IXYS 24-DIP(0.300",7.62mm) IC REG CTRLR PWM 24-DIP PWM 型:控制器 输出数:2 频率 - 最大:400kHz 占空比:95% 电...
IXKR47N60C5 IXYS ISOPLUS247? 30 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKR40N60C IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKR25N80C IXYS ISOPLUS247? 22 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXKT70N60C5参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):68A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别