收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXKR40N60C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXKR40N60C

IXYS ISOPLUS247?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXKR40N60C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXKR47N60C5 IXYS ISOPLUS247? 30 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKT70N60C5 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKU5-505MINIPACK2 IXYS MOSFET MINIPACK-2 ...
IXKR25N80C IXYS ISOPLUS247? 22 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKP35N60C5 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKP24N60C5M IXYS TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXKR40N60C参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):38A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:通孔

最近更新

型号类别