收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFA4N60P3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFA4N60P3

IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFA4N60P3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFA5N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA6N120P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA7N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA4N100Q-TRL IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA4N100Q IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA4N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFA4N60P3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):365pF @ 25V
功率 - 最大值:114W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别