收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFA4N100Q
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFA4N100Q

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFA4N100Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFA4N100Q-TRL IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA4N60P3 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA5N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA4N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA3N80 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA3N120 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 77 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFA4N100Q参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1050pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别