| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXC611S1 |
IXYS | 8-SOIC | 询价QQ： |
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| 简述：IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC 参考包装数量：470 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXCP01N90E | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 900V 250MA TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXCP02M35 | IXYS | TO-220-3 | IC CURRENT REGULATOR TO220AB | 功能：稳流器 检测方法：- 精确度：- 输入电压：- 电流 - 输出：2mA 工... | |
| IXCP02M35A | IXYS | TO-220-3 | IC CURRENT REGULATOR TO220AB | 功能：稳流器 检测方法：- 精确度：- 输入电压：- 电流 - 输出：2mA 工... | |
| IXC611P1 | IXYS | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | IC DRIVER HALF BRIDGE 8-PDIP | 配置：- 输入类型：- 延迟时间：- 电流 - 峰：- 配置数：- 输出数：- ... | |
| IXBX75N170A | IXYS | TO-247-3 | IGBT BIMOSFET 1700V 110A PLUS247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V Vge, I... | |
| IXBX75N170 | IXYS | TO-247-3 | 67 | IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V Vge, I... |
