型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
IXBX75N170A |
IXYS | TO-247-3 | 询价QQ: |
||
简述:IGBT BIMOSFET 1700V 110A PLUS247 参考包装数量:30 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
IXC611P1 | IXYS | 8-DIP(0.300",7.62mm) | IC DRIVER HALF BRIDGE 8-PDIP | 配置:- 输入类型:- 延迟时间:- 电流 - 峰:- 配置数:- 输出数:- ... | |
IXC611S1 | IXYS | 8-SOIC | IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC | 配置:- 输入类型:- 延迟时间:- 电流 - 峰:- 配置数:- 输出数:- ... | |
IXCP01N90E | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 900V 250MA TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IXBX75N170 | IXYS | TO-247-3 | 67 | IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247 | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I... |
IXBX55N300 | IXYS | TO-247-3 | 91 | IGBT 3000V 130A 625W PLUS247 | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3000V Vge, I... |
IXBX25N250 | IXYS | TO-247-3 | 102 | IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2500V Vge, I... |