| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXBR42N170 |
IXYS | ISOPLUS247? | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1700V 32A ISOPLUS247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXBT10N170 | IXYS | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | IC TRANS BIPO 20A 1700V TO-268 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V Vge, I... | |
| IXBT12N300 | IXYS | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | 49 | IGBT 3000V 30A 160W TO268 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：3000V Vge, I... |
| IXBT16N170A | IXYS | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | 112 | TRANSISTOR NON 10A 1.7KV TO-268 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V Vge, I... |
| IXBP5N160G | IXYS | TO-220-3 | IC TRANS BIPO 1600V 5.7A TO-247A | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1600V Vge, I... | |
| IXBOD1-42R | IXYS | 径向 | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4200V | 电压 - 工作：- 电压 - 箝位：4200V（4.2kV） 技术：混合技术 功... | |
| IXBOD1-40R | IXYS | 径向 | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V | 电压 - 工作：- 电压 - 箝位：4000V（4kV） 技术：混合技术 功率（... |
