型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXBOD1-42R |
IXYS | 径向 | 询价QQ: |
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简述:IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4200V 参考包装数量:20 参考包装形式:散装 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IXBP5N160G | IXYS | TO-220-3 | IC TRANS BIPO 1600V 5.7A TO-247A | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1600V Vge, I... | |
IXBR42N170 | IXYS | ISOPLUS247? | MOSFET N-CH 1700V 32A ISOPLUS247 | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I... | |
IXBT10N170 | IXYS | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA | IC TRANS BIPO 20A 1700V TO-268 | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I... | |
IXBOD1-40R | IXYS | 径向 | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V | 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:4000V(4kV) 技术:混合技术 功率(... | |
IXBOD1-38R | IXYS | 径向 | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V | 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:3800V(3.8kV) 技术:混合技术 功... | |
IXBOD1-36R | IXYS | 径向 | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V | 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:3600V(3.6kV) 技术:混合技术 功... |