收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLHM620TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLHM620TRPBF

International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
参考包装数量:4000
参考包装形式:

与IRLHM620TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLHM630TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLHM630TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLHS2242TR2PBF International Rectifier 6-PowerVDFN 800 MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLHM620TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 1705 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLH7134TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN 4000 MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLH7134TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 1200 MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLHM620TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 20A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3620pF @ 10V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别