收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLH7134TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLH7134TRPBF

International Rectifier 8-PowerTDFN 4000
询价QQ:
简述:MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRLH7134TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLHM620TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 1705 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLHM620TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLHM630TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLH7134TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 1200 MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLH6224TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN 4000 MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLH6224TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLH7134TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3720pF @ 25V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别