收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRL640
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRL640

Vishay Siliconix TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRL640相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRL640A Fairchild Semiconductor TO-220-3 13252 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL640L Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL640S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL6372TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 20000 MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRL6372PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRL6342TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7526 MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRL640参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别