| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRL640A |
Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 13252 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRL640L | Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IRL640S | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IRL640SPBF | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IRL640 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IRL6372TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 20000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| IRL6372PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
