收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFU024NPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFU024NPBF

International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 3895
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IRFU024NPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFU024PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 1692 MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU1010Z International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU1010ZPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU024 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU020PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU020 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFU024NPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):370pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别