收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFU020
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFU020

Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:管件

与IRFU020相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFU020PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU024 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU024NPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 3895 MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU014PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 50 MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU014 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU010 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFU020参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 8.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别