收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFS41N15DPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFS41N15DPBF

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFS41N15DPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFS41N15DTRLP International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS41N15DTRR International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4227PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 210 MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4127TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4127PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4115TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFS41N15DPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):41A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2520pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别