收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS6982AS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6982AS

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 15000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS6982AS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6982S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET SCHOTTKY 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6984AS Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500+2500 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6984S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6982 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6975 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 10000 MOSFET P-CH DUAL 30V 6A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6961A_F011 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDS6982AS参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.3A,8.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:28 毫欧 @ 6.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:610pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别