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IRFHM8363TR2PBF

International Rectifier 8-PowerVDFN 1200
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简述:MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

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IRFHM8363TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:14.9 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1165pF @ 10V
功率 - 最大:2.7W
安装类型:表面贴装

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