收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFHM831TR2PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFHM831TR2PBF

International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 2400
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFHM831TR2PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFHM831TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 14A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFHM8363TR2PBF International Rectifier 8-PowerVDFN 1200 MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRFHM8363TRPBF International Rectifier FET ARRAY ...
IRFHM830TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFHM830TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 1388 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFHM830DTRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 20A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFHM831TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1050pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别