收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFH7110TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFH7110TRPBF

International Rectifier 8-TQFN 裸露焊盘 4000
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH7110TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH7440TR2PBF International Rectifier * 1200 MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH7440TRPBF International Rectifier * MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH7446TR2PBF International Rectifier * 1200 MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH7110TR2PBF International Rectifier 8-TQFN 裸露焊盘 800 MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7107TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN 8000 MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7107TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFH7110TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3240pF @ 25V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别