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IRFH7107TR2PBF

International Rectifier 8-PowerTDFN 800
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简述:MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6E
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH7107TR2PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH7107TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN 8000 MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7110TR2PBF International Rectifier 8-TQFN 裸露焊盘 800 MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7110TRPBF International Rectifier 8-TQFN 裸露焊盘 4000 MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7004TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 4000 MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH7004TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 400 MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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IRFH7107TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3110pF @ 25V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

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