收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF2204LPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF2204LPBF

International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 170A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF2204LPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF2204PBF International Rectifier TO-220-3 13062 MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2204SPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1693 MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2804 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1902TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2884 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF1902PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF1902GTRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC ...

IRF2204LPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):170A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 130A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5890pF @ 25V
功率 - 最大值:200W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别