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IRF1902TRPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2884
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简述:MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRF1902TRPBF参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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