| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPW65R310CFD |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPW65R420CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW65R660CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | 239 | MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW90R120C3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPW65R280E6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 230 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW65R280C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 230 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 198 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
