收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPW65R190E6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPW65R190E6

Infineon Technologies TO-247-3 198
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与IPW65R190E6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPW65R280C6 Infineon Technologies TO-247-3 230 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW65R280E6 Infineon Technologies TO-247-3 230 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW65R310CFD Infineon Technologies TO-247-3 240 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW65R190CFD Infineon Technologies TO-247-3 220 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW65R190C6 Infineon Technologies TO-247-3 212 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW65R110CFD Infineon Technologies TO-247-3 180 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPW65R190E6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):73nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1620pF @ 100V
功率 - 最大值:151W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别