| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPW60R299CP |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 219 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPW65R041CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | 237 | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW65R070C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 199 | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW65R080CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPW60R280E6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 226 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 170 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
