收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPW60R250CP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPW60R250CP

Infineon Technologies TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与IPW60R250CP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPW60R280C6 Infineon Technologies TO-247-3 170 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW60R280E6 Infineon Technologies TO-247-3 226 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW60R299CP Infineon Technologies TO-247-3 219 MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW60R199CP Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW60R190E6 Infineon Technologies TO-247-3 169 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW60R190C6 Infineon Technologies TO-247-3 1011 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPW60R250CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 100V
功率 - 最大值:104W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别