收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP60R600C6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP60R600C6

Infineon Technologies TO-220-3 1997
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP60R600C6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP60R600CP Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R600E6 Infineon Technologies TO-220-3 66 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R750E6 Infineon Technologies TO-220-3 326 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R520E6 Infineon Technologies TO-220-3 426 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R520CP Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R520C6 Infineon Technologies TO-220-3 500 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP60R600C6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 100V
功率 - 最大值:63W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别