| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP60R520CP |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP60R520E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 426 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R600C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1997 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R600CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP60R520C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 500 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R450E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 490 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R385CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
