收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP600N25N3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP600N25N3G

Infineon Technologies TO-220-3 525
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP600N25N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP60R099C6 Infineon Technologies TO-220-3 1253 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R099CP Infineon Technologies TO-220-3 4313 MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP60R099CPA Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP530N15N3G Infineon Technologies TO-220-3 505 MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP50R520CP Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP50R500CE Infineon Technologies TO-220-3 496 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP600N25N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2350pF @ 100V
功率 - 最大值:136W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别