| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP50R520CP |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP530N15N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 505 | MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP600N25N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 525 | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPP60R099C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1253 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP50R500CE | Infineon Technologies | TO-220-3 | 496 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 9A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | TO-220-3 | 495 | MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
