收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP35CN10NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP35CN10NG

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP35CN10NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP45N06S3-16 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 45A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP45N06S3L-13 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 45A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP45N06S4-09 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP320N20N3G Infineon Technologies TO-220-3 1385 MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP26CNE8NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP26CN10NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP35CN10NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 29µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 50V
功率 - 最大值:58W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别