收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP26CN10NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP26CN10NG

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP26CN10NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP26CNE8NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP320N20N3G Infineon Technologies TO-220-3 1385 MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP35CN10NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP260N06N3G Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP25N06S3L-22 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP25N06S3-25 Infineon Technologies TO-220-3 300 MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP26CN10NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 39µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2070pF @ 50V
功率 - 最大值:71W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别