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IPP086N10N3G

Infineon Technologies TO-220-3 500
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简述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP086N10N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP08CN10LG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP08CN10NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 95A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP08CNE8NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 85V 95A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP084N06L3G Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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IPP080N03LG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPP086N10N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 73A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3980pF @ 50V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

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