| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP084N06L3G |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP086N10N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 500 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP08CN10LG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP08CN10NG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 95A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP080N06NG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP080N03LG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP07N03LBG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
