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IPL60R385CP

Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盘 3000
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简述:MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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IPL60R385CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):385 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):790pF @ 100V
功率 - 最大值:83W
安装类型:表面贴装

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